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纳米6H-SiC薄膜的等离子体化学气相沉积及其紫外发光采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si(100)衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构、形貌以及键合特性进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在500℃的衬底温度和高氢气稀释条件下,所制备的纳米SiC薄膜红外吸收谱主要表现为SiC TO声子吸收,X射线衍射显示所制备的纳米SiC薄膜为6H结构.采用氙灯作为激发光源,不同氢气流量下所制备的样品在室温下呈现出峰值波长可变的紫外发光.	2011/9/4
用氢气/甲醇混合气体在微波等离子体CVD中合成纳米晶粒金刚石膜用微波等离子体增强化学气相沉积方法(MPECVD),利用氢气和甲醇的混合气体,在硅片上沉积出纳米晶粒的金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)及扫描隧道显微镜(STM)对薄膜的晶粒平面平整性及纯度进行了表征.通过SEM发现,提高甲醇浓度或降低沉积温度可以减小金刚石膜的晶粒尺寸.拉曼光谱显示薄膜中确实存在纳米晶粒的金刚石,并且薄膜的主要成分为金刚石.用AFM测得薄膜表面的粗糙度Rms＜80m,STM观测晶粒的平均尺寸在10～20m之间.研究结果表明,用MPECVD方法,利用氢气和甲醇的混合气体是制备纳米晶粒金刚石膜的一种理想方法.	2011/9/4
纳米硅薄膜及磁控溅射法沉积纳米硅薄膜具有卓越的光学和电学特性,其在光电器件方面潜在的应用越来越引起人们的兴趣.讨论了用磁控溅射法制备纳米硅薄膜的微观机理及沉积参数对薄膜结构和性能的影响.其中,氢气分压、基片温度、溅射功率是磁控溅射法沉积纳米硅的关键参数,适当的温度、较高的氢气分压和较低的溅射功率有利于纳米硅的生成.	2011/9/4
SnO2-x薄膜非化学计量比对气敏性能的影响采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题.通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜,研究非化学计量比对薄膜结构、成分以及气敏性能的影响.XRD结果表明氧分压对材料结构和取向的影响非常显著.薄膜的O/Sn和表面化学成分通过XPS进行确定,分析发现氧分压的增加促使薄膜接近化学计量比,但表面化学吸附氧含量在0.33Pa氧分压下达到最大.气敏性能测试表明,非化学计量比主要影响薄膜表面的化学吸附氧数量,从而影响导电性和气体敏感性.氧分压对薄膜化学吸附氧的影响趋势与对气敏性能的影响趋势一致.0.33Pa氧分压下制备的薄膜拥有最多的表面吸附氧,同时对氢气的灵敏度高	2011/9/4
液相生长热氧化法制备SnO2气体敏感薄膜在不同的热氧化温度下,用液相生长热氧化法(RGTO)制备了SnO2薄膜.探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响,并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能.测试结果表明:260 ℃工作温度下,600 ℃热氧化制备的SnO2薄膜气敏元件,对氢气的灵敏度最佳.在100～1 000 mg·kg-1的氢气浓度范围内,灵敏度由47递增至70.	2011/9/4
WO3薄膜气敏光学传感特性研究 WO3薄膜是良好的光学气敏传感器材料.采用溶胶凝胶法制备了WO3掺杂薄膜,对样品在不同浓度氢气气氛中的气敏光学性质、敏感度及响应时间进行了测试、分析和计算,并结合光传输理论给出了气敏薄膜的光学变化机制,理论分析与实验结论吻合.	2011/9/4
硅衬底上高增透金刚石膜的制备研究采用甲烷和氢气作为工作气体,在热丝化学气相沉积(HFCVD)设备上采用五段式沉积法制备了金刚石薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及傅立叶红外光谱仪研究了金刚石膜的结构和性质.结果表明,采用五段式沉积法可以得到晶粒大小达到纳米级的、表面粗糙度较小、金刚石纯度较高的金刚石膜,其最大增透率超过70%,能满足作为光学窗口增透膜的应用要求.	2011/9/4
射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和Ⅰ-Ⅴ特性用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.	2011/9/4
RF-PECVD掺溴非晶碳氢膜的Raman光谱分析在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56 MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C:Br:H).通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响.结果显示:随着气体工作压力从20 Pa下降至5 Pa,样品D峰强度增强,I_D/I_G值逐步由1.18增加至1.36,G峰的位置向高频轻微移动;与此同时,薄膜生长方式逐步转为低能态形式生长,薄膜中sp~2C逐步由链式结构向环式结构转化.	2011/9/4
LPCVD Si基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探本文采用LPCVD技术在高温条件下,利用甲烷和氢气混合气体作为碳源,在n-Si(111)衬底上制备3C-SiC薄膜.通过XRD、XPS、SEM、FT-IR和PL研究发现:温度对3C-SiC薄膜的形貌和晶体质量有较大的影响,并且生长温度对3C-SiC薄膜的780 cm~(-1)左右的FT-IR反射峰强度影响非常大;在室温测试条件下,3C-SiC薄膜有较强的蓝光波段的荧光峰.	2011/9/4
WO3_SiO2复合薄膜气致变色性能的研究在室温下用溶胶-凝胶（sol_gel）法制备了WO3_SiO2复合薄膜，通过改变氢气体积分数、催化剂浓度及热处理温度等实验因素，对薄膜的气致变色性能进行了测试.实验结果表明，将铂以K2PtCl4形式掺入WO3_SiO2混合溶胶中进行提拉成膜，经适当的热处理后可以获得性能稳定且具有良好气致变色性能的优质薄膜.	2011/9/4
X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi转化，是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察，研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体(N2和H2)退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明，氢气气氛退火能提高薄膜质量；真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。	2011/9/4
改善CVD金刚石薄膜涂层刀具性能的工艺研究用热丝CVD法,以丙酮和氢气为碳源,在WC-Co硬质合金衬底上沉积金刚石薄膜,在分析了工艺条件(衬底温度、碳源浓度、反应压力)对金刚石薄膜性能的影响的基础上,提出了分步沉积法改善金刚石薄膜涂层刀具性能的新工艺.结果表明,合理控制工艺条件的新工艺对涂层薄膜质量、形貌和粗糙度、薄膜与衬底间的附着力、刀具的耐用度及切削性能有显著影响,对获取实用化的在硬质合金刀具基体上沉积高附着强度、低粗糙度金刚石薄膜的新技术具有重要的意义.	2011/9/4
脉冲激光沉积碳薄膜生长中氢气的作用采用石墨靶,通过脉冲激光沉积技术在温度为20℃的玻璃和硅衬底上沉积出厚度为100nm的碳薄膜,所用的激光源是ArF激光(λ＝193nm, 24ns). 通过调节氢气流量使反应室的压力在1.33×10-5～133Pa之间变化. 拉曼光谱测量显示有一1550cm-1为中心的宽峰, 这与用其他方法制备的典型类金刚石碳(DLC)膜相类似, 随着增大氢气压力,膜的吸收系数减小, 而光带隙增大. 在氢气压力为133Pa下沉积的薄膜具有大于2.5eV的光带隙, 比无氢气气氛下沉积的薄膜的光带隙大1倍. 结果表明, 氢气对蚀刻sp2键是有效的. 在PLD法中, 从靶中喷射的等离子体物质和氢分子预先被离解成原子	2011/9/4
超薄金属钯复合膜表面缺陷修饰的研究通过对化学镀制备的超薄金属钯复合膜的表面缺陷进行修饰,进而控制缺陷位的尺寸,然后通过补镀处理制备了致密超薄金属钯复合膜.同修饰前的钯复合膜相比,表面修饰后制备的钯复合膜厚度略微增加.从0.87μm增大至3.01μm;氢气渗透速率略降,但H2/N2理想分离因子却显著增加.400℃,100kPa下,修饰前钯复合膜的氢气渗透速率为O.5934mol·m-2·s-1,H2/N2理想分离因子为123,修饰后钯复合膜的氢气渗透速率达到0.2967mol·m-2·s-1,H2/N2理想分离因子为5007,这表明本文采用的表面缺陷修饰方法可有效修复钯膜表面针孔和缺陷.	2011/9/4
超声喷雾热分解WO3薄膜的光电化学制氢研究以H2O2在93℃水浴中溶解H2WO4得到的溶液作为超声喷雾热分解反应的前驱液制备WO3薄膜,考查了H2O2添加量及前驱液浓度对薄膜结构和光电化学制氢性能的影响.结果表明,增加前驱液中H202的添加量和降低前驱液浓度都能使薄膜表面由网状结构分裂成颗粒堆积结构,低浓度前驱液制备的薄膜表面经热处理后会结晶出尺寸较大的颗粒.前驱液浓度越高或H2O2添加量越多,则平带电位变得越负.光电转换效率(IPCE)测量结果表明,对于所有样品,在电极电位(饱和甘汞电极)为0.5 V时,光照产生光电流的起始波长都为450 nm.在强度较弱的单色光照射下,光电效率随H2O2添加量的增加和前驱液浓度的降低都先增大后减小	2011/9/4
基于磁控溅射技术沉积光伏电池用硅基薄膜材料的研究硅基薄膜太阳能电池是光伏电池领域最具有发展前景的组件.采用非平衡磁控溅射技术制备氢化硅薄膜和SiNx/Si纳米多层膜,并对其结构与性能进行了分析.结果表明,Si∶ H薄膜呈现出非晶硅和硅纳米晶颗粒复合结构;随着溅射混合气中氢气含量的增加,Si∶ H薄膜的晶化程度增强;Si∶ H薄膜的光学带隙均高于2.0eV.利用交替磁控溅射方法沉积的SiNx/Si纳米多层膜结构,其呈现出非晶相.	2011/9/4
聚合物前驱体法制备的层状结构K4Nb6O17薄膜及其光催化性能以Nb2O5为原料,采用一种新型的聚合物前驱体法制备了层状结构K4Nb6O17薄膜.经600℃以上的温度处理,得到了纳米晶的具有(040)取向的薄膜.XPS测量表明该薄膜的元素比K:Nb:O为4.08:5.99:16.77,符合K4Nb6O17的化学计量比.分解水制氢实验表明该薄膜具有良好的光催化性能.应用Boltzmann方程对产氢量的时间曲线进行了分析.结果表明,结晶性能直接影响了薄膜的产氢行为.	2011/9/4
溶胶-凝胶制备二氧化钒薄膜的价态研究采用无机溶胶-凝胶法制备了VO2热致变色薄膜,利用XPS系统地研究了烘干温度、真空热处理温度以及溶胶浓度对VO2薄膜中钒价态的影响.结果表明,保持其它工艺参数不变,薄膜中V5+被还原的程度随烘干温度和真空热处理温度升高而增大.当烘干温度、烘干时间和真空热处理时间以及真空气压相同时,随溶胶浓度减小,VO2薄膜中V5+被还原程度存在真空热处理温度临界点,当溶胶浓度配比为1:4～1:3时,临界温度为480 ℃;溶胶浓度配比为1:3～1:2时,临界温度为400 ℃.制备高纯VO2薄膜的优化工艺参数组合为溶胶浓度配比1:3,250 ℃干燥2 h后于450 ℃氢气还原3 h(保持真空度为0.5 Pa).	2011/9/4