SnO2-x薄膜非化学计量比对气敏性能的影响

作者：王磊杜军毛昌辉杨志民熊玉华 WANG Lei DU Jun MAO Chang-hui YA
出处：
发布时间：2011/9/4

浏览次数：2470

【关键词】薄膜结构非化学计量比计量比对气敏性能Thin Films氧分压表面吸附氧影响趋势近化学计量比反应磁控溅射表面化学吸附表面化学成分性能测试氢气灵敏度高材料结构薄膜表面氧含量选择性敏感性

【摘要】采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题.通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜,研究非化学计量比对薄膜结构、成分以及气敏性能的影响.XRD结果表明氧分压对材料结构和取向的影响非常显著.薄膜的O/Sn和表面化学成分通过XPS进行确定,分析发现氧分压的增加促使薄膜接近化学计量比,但表面化学吸附氧含量在0.33Pa氧分压下达到最大.气敏性能测试表明,非化学计量比主要影响薄膜表面的化学吸附氧数量,从而影响导电性和气体敏感性.氧分压对薄膜化学吸附氧的影响趋势与对气敏性能的影响趋势一致.0.33Pa氧分压下制备的薄膜拥有最多的表面吸附氧,同时对氢气的灵敏度高

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