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脉冲激光沉积碳薄膜生长中氢气的作用
作者:Tsuyoshi Yoshitake Takashi Nishiyama Kunihito Naga 浏览次数:2069 【关键词】脉冲激光沉积技术沉积碳薄膜生长氢气压力Pulsed
Laser
DepositionThin
Filmsthe
Growthoptical
band
gapatomic
hydrogenhydrogen
gaspulsed
laser
depositionabsorption
coefficientsubstrate
temperature光带隙ambient
pressureRaman
spectrumexcimer
laser原子氢类金刚石碳thin
films
【摘要】采用石墨靶,通过脉冲激光沉积技术在温度为20℃的玻璃和硅衬底上沉积出厚度为100nm的碳薄膜,所用的激光源是ArF激光(λ=193nm, 24ns). 通过调节氢气流量使反应室的压力在1.33×10-5~133Pa之间变化. 拉曼光谱测量显示有一1550cm-1为中心的宽峰, 这与用其他方法制备的典型类金刚石碳(DLC)膜相类似, 随着增大氢气压力,膜的吸收系数减小, 而光带隙增大. 在氢气压力为133Pa下沉积的薄膜具有大于2.5eV的光带隙, 比无氢气气氛下沉积的薄膜的光带隙大1倍. 结果表明, 氢气对蚀刻sp2键是有效的. 在PLD法中, 从靶中喷射的等离子体物质和氢分子预先被离解成原子
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