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液相生长热氧化法制备SnO2气体敏感薄膜
作者：王磊 杜军 毛昌辉 杨志民 熊玉华 WANG Lei DU Jun MAO Chang-hui YA
出处：
发布时间：2011/9/4
浏览次数：2240
【摘要】在不同的热氧化温度下,用液相生长热氧化法(RGTO)制备了SnO2薄膜.探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响,并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能.测试结果表明:260 ℃工作温度下,600 ℃热氧化制备的SnO2薄膜气敏元件,对氢气的灵敏度最佳.在100～1 000 mg·kg-1的氢气浓度范围内,灵敏度由47递增至70.
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