RF-PECVD掺溴非晶碳氢膜的Raman光谱分析

作者：冯建鸿卢铁城吴卫东贾鹏 FENG Jian-hong LU Tie-cheng WU Wei-
出处：
发布时间：2011/9/4

浏览次数：2360

【关键词】RF-PECVD掺溴非晶碳氢薄膜碳氢膜Raman光谱分析Amorphous CarbonAnalysisSpectrachemical vapor deposition等离子体化学气相淀积room temperatureamorphous carbonsilicon waferscarbon source生长方式gas pressurestructuresthin filmmixed gas室温条件

【摘要】在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56 MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C:Br:H).通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响.结果显示:随着气体工作压力从20 Pa下降至5 Pa,样品D峰强度增强,I_D/I_G值逐步由1.18增加至1.36,G峰的位置向高频轻微移动;与此同时,薄膜生长方式逐步转为低能态形式生长,薄膜中sp~2C逐步由链式结构向环式结构转化.

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