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| 专利名: |
一种工业级氢氧化镁粉体的烧结方法 |
| 专利号: |
CN201010133589.4 |
| 关键字: |
制氧 |
| 专利类别: |
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| 使用范围: |
一种工业级氢氧化镁粉体的烧结方法，属于功能无机材料制备技术领域，涉及到彩色平板等离子电视保护膜用高纯氧化镁烧结工艺路线的确定。其特征是以工业级氢氧化镁作为原料，经过简单预处理，通过控制升温速率，恒温时间和升温曲线来控制氧化镁的反应生成过程。整个制备过程工艺简单，所用原料易得，工艺简单，没有废物排放，属于环保性技术；更重要的是，使纯相氧化镁的生成条件更加温和、容易控制，这种技术路线避免了传统工业烧结方法引起的一系列问题，如烧结过程产生的大量粉尘，还需增加粉尘回收装置，因此效率较低，成本增加。本发明的效果和益处是在制造成本、产品性能和环境友好等方面都展现出显著的竞争优势和利润空间。 |
| 申报人: |
王宁会,潘文,李国锋,宁桂玲 |
| 申报单位: |
大连理工大学 |
| 申报时间: |
3/23/2010 |
| 专利有效期限: |
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专利内容
申请（专利）号:
CN201010133589.4
申请日期:
2010-3-23
公开(公告)日:
2010-9-8
公开(公告)号:
CN101823735A
主分类号:
C01F5/08(2006.01)I
分类号:
申请（专利权）人:
大连理工大学
发明（设计）人:
王宁会,潘文,李国锋,宁桂玲
主申请人地址:
116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
专利代理机构:
大连理工大学专利中心 21200
代理人:
侯明远
国别省市代码:
辽宁;21
主权项:
一种工业级氢氧化镁粉体的烧结方法，以工业级氢氧化镁作为原料，将其与一种助剂一起研磨后放入气氛保护炉中，在常压下进行加热，通过控制升温速度、反应温度、保护气组分与流量以及恒温时间来控制产物相纯度和颗粒大小，经恒温转化后得到纯相的氧化镁粉体，其特征是：a)制备氧化镁所用原料在工业级氢氧化镁中选取；b)原料研磨助剂在C4～C2的醇、酮、醚、酯或酸中选取，由它们中的一种或两种以上混合物组成；原料与助剂之间重量配比在100∶0～100范围内变化；c)烧结气氛由氧化性气体与惰性气体组成，其中惰性气体在氮气、氩气中选取，氧化气体在氧气、一氧化氮气中选取；惰气与氧化气的体积比在100∶1～30范围内变化，气体流量在40～400ml/min；d)加热炉的升温速率及恒温时间分为三个阶段，室温至250℃，升温速率为5～20℃/min，250℃恒温0.5～4小时；250至400℃，升温速率为10～30℃/min，400℃恒温0.5～4小时；氢氧化镁变成氧化镁反应温度为400℃～680℃，升温速率为1～20℃/min，反应温度下恒温时间为10分钟到2小时。
法律状态:
实质审查的生效
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