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专利名: |
单晶炉内一种控氧生长的装置 |
专利号: |
CN200920122169.9 |
关键字: |
制氧 |
专利类别: |
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使用范围: |
本实用新型属于半导体分离技术领域,特别是涉及一种生产、分离单晶硅时的一种控氧生长的装置。该装置是在单晶炉中对加热器、导流筒、下保温筒进行改革;降低了加热器的叶片高度,使坩埚底部的热源面积减少,石英坩埚底部受热少,在生产过程中产生的氧比较少;在上盖板上再增加一个加密式导流筒,新的导流装置能加速冷却速度,加强了下保温筒的保温效果,可从晶体和熔体界面,带走更多的氧,降低氧含量,减少产生的硼氧复合体,本实用新型能有效的减少生产过程中氧的产生、滞留,它结构简单、造价低廉、安装、使用操作方便、能有效控制氧的生成、输送,减少了氧进入单晶的过程和数量等优点。 |
申报人: |
江国庆 |
申报单位: |
江国庆 |
申报时间: |
6/10/2009 |
专利有效期限: |
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专利内容
申请(专利)号:
CN200920122169.9
申请日期:
2009-6-10
公开(公告)日:
2011-1-12
公开(公告)号:
CN201704429U
主分类号:
C30B15/00(2006.01)I
分类号:
申请(专利权)人:
江国庆
发明(设计)人:
江国庆
主申请人地址:
324000 浙江省衢州市经济开发区乐园路603号
专利代理机构:
金华科源专利事务所有限公司 33103
代理人:
毛东明
国别省市代码:
浙江;33
主权项:
一种单晶炉内的控氧生长的装置,包括石英坩埚、加热器、上盖板、炉盖和下保温筒,其特征是,所述加热器的叶片不超过所述坩埚的底部;一个两头通的石墨圆筒子搁置在上盖板上,位于炉盖和上盖板之间,与炉盖、上盖板活动连接;用作下保温筒保温的保温层碳毡为10??12层。??
法律状态:
授权
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