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| 专利名: |
氧化物薄膜晶体管的制造方法 |
| 专利号: |
CN200910266314.5 |
| 关键字: |
制氧 |
| 专利类别: |
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| 使用范围: |
本发明涉及氧化物薄膜晶体管的制造方法。根据该制造方法，当通过使用非晶态氧化锌(ZnO)基半导体作为有源层制造薄膜晶体管时，通过在使用溅射器沉积氧化物半导体后经由控制氧气(O2)流在原位沉积具有氧化物特性的绝缘层，可减少单品生产时间并获得增强的元件特性，该方法包括下面步骤：在基板上形成栅极；在基板上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上沉积由非晶态氧化锌基半导体制成的非晶态氧化锌基半导体层并在原位沉积具有氧化物特性的非晶态氧化锌基绝缘层；在栅极上方形成由非晶态氧化锌基半导体制成的有源层，同时在有源层的沟道区上形成由非晶态氧化锌基绝缘层制成的沟道保护层；并且在有源层上方形成与有源层的源区和漏区电连接的源极和漏 |
| 申报人: |
金大元,裵钟旭 |
| 申报单位: |
乐金显示有限公司 |
| 申报时间: |
12/24/2009 |
| 专利有效期限: |
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专利内容
申请（专利）号:
CN200910266314.5
申请日期:
2009-12-24
公开(公告)日:
2010-12-8
公开(公告)号:
CN101908489A
主分类号:
H01L21/34(2006.01)I
分类号:
申请（专利权）人:
乐金显示有限公司
发明（设计）人:
金大元,裵钟旭
主申请人地址:
韩国首尔
专利代理机构:
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人:
李辉
国别省市代码:
韩国;KR
主权项:
一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，该制造方法包括以下步骤：栅极形成步骤，在基板上形成栅极；栅绝缘层形成步骤，在所述基板上形成栅绝缘层；非晶态氧化锌基半导体层和非晶态氧化锌基绝缘层形成步骤，在所述栅绝缘层上在原位沉积由非晶态氧化锌基半导体制成的非晶态氧化锌基半导体层和具有氧化物特性的非晶态氧化锌基绝缘层；有源层和沟道保护层形成步骤，在所述栅极上方形成由所述非晶态氧化锌基半导体制成的有源层，同时在所述有源层的沟道区上形成由所述非晶态氧化锌基绝缘层制成的沟道保护层；和源极和漏极形成步骤，在所述有源层上方形成与所述有源层的源区和漏区电连接的源极和漏极。
法律状态:
实质审查的生效
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