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| 专利名: |
一种太阳能级高纯多晶硅的制备方法 |
| 专利号: |
CN200910249945.6 |
| 关键字: |
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| 专利类别: |
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| 使用范围: |
本发明提供一种制备太阳能级高纯多晶硅的制备方法，它是一种采用物理化学法制备太阳能级多晶硅的生产方法。本方法以冶金级工业硅为原料，通过粉碎获得含水量低于3％、粒度为50～100nm的硅粉物料，经两次酸浸、清洗、干燥，真空熔炼和定向凝固获得纯度可达99.999％以上的多晶硅产品。本发明的制备方法易操作，耗电量小、生产成本低，易实现大规模、工业化生产。 |
| 申报人: |
耿世达 |
| 申报单位: |
耿世达 |
| 申报时间: |
12/7/2009 |
| 专利有效期限: |
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专利内容
申请（专利）号:
CN200910249945.6
申请日期:
2009-12-7
公开(公告)日:
2010-9-22
公开(公告)号:
CN101837979A
主分类号:
C01B33/037(2006.01)I
分类号:
申请（专利权）人:
耿世达
发明（设计）人:
耿世达
主申请人地址:
116422 辽宁省大连市大连花园口经济区管委会大连丽昌新材料有限公司
专利代理机构:
""
代理人:
国别省市代码:
辽宁;21
主权项:
一种太阳能级高纯多晶硅的制备方法，包括以下步骤：(1)粉碎：采用纳米粉碎机将150～840μm的工业硅粉碎至50～100nm，粉碎后的物料经过喷雾干燥使其含水量低于3％；(2)酸洗：粉碎后的硅粉物料放入反应釜中，用浓度5～8mol/L盐酸进行酸浸处理，硅粉与浸出酸的添加比例为1∶0.5～2.5(重量比)，浸出温度在20～80℃，浸出时间为0.5～2天；然后用纳米洗涤设备清洗5～10次，并将硅粉与浸出液分离并干燥；干燥后将硅粉放入反应釜中，采用浓度为3～8mol/L的氢氟酸对硅粉物料进行酸浸处理，硅粉与浸出酸的添加比例为1∶0.5～2.5(重量比)，浸出温度在20～80℃，浸出时间为0.5～2天，去除硅粉中的二氧化硅等杂质；然后用纳米洗涤设备清洗3～10次洗至中性，并将硅粉与浸出液分离，硅粉在喷雾干燥设备80～120℃下干燥除去水分；(3)真空熔炼：将干燥后的硅粉物料加入真空炉中，利用感应加热将物料熔化，保持炉内温度1450-1600℃，真空度103-104Pa，然后通入氩气和水蒸气的混合气体，熔炼2-9小时；然后控制真空度10-2-10-5Pa，炉内温度1450-1600℃，精炼2-10小时；(4)定向凝固：保持炉子真空度10-2-10-5Pa，硅粉物料熔体部分温度1450-1600℃，冷却速度为0.5-1.0厘米/小时；(5)切头处理：物料冷却后，进行切头处理，切除最后冷却部分，得到太阳能级多晶硅产品。
法律状态:
实质审查的生效
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