单晶炉内一种控氧生长的装置 CN200910099710.3-气体分离设备商务网

专利名:	单晶炉内一种控氧生长的装置
专利号:	CN200910099710.3
关键字:	制氧
专利类别:
使用范围:	本发明属于半导体分离技术领域，特别是涉及一种生产、分离单晶硅时的一种控氧生长的装置。该装置是在单晶炉中对加热器、导流筒、下保温系统作改革；降低了加热器的叶片高度，使坩埚底部的热源面积减少，使石英坩埚底部受热少，在生产过程中产生的氧比较少；对密封导流系统进行了改革，在上盖板上再增加一个加密式导流筒，新的导流装置能加速冷却速度，对炉内下保温系统进行改革，加强了下保温筒的保温效果，可从晶体和熔体界面，带走更多的氧，降低氧含量，减少产生的硼氧复合体，本发明能有效的减少生产过程中氧的产生、滞留，它结构简单、造价低廉、安装、使用操作方便、能有效控制氧的生成、输送，减少了氧进入单晶的过程和数量。
申报人:	江国庆
申报单位:	江国庆
申报时间:	6/10/2009
专利有效期限: