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| 专利名: |
一种硅的物理提纯方法 |
| 专利号: |
CN200810201719.6 |
| 关键字: |
工业气体分离 |
| 专利类别: |
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| 使用范围: |
本发明公开了一种硅的物理提纯方法。本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种能耗低、无污染、成本低的一种硅的物理提纯方法。所述方法是利用硅与其中杂质的熔点和沸点的不同以及在不同压力、不同温度下的蒸发量的不同，通过对工业硅加热进行蒸馏，将硅与其中的杂质进行分离，从而提高硅的纯度的方法。将工业硅原料放置在加热器里，通过加热的方式使原料处于气体蒸发状态，通过对气体的分馏将杂质去除。所述分离过程是在蒸馏或精馏塔中进行，所述蒸馏或精馏塔与真空设备相连。本发明用于提纯用于制作太阳能电池的多晶硅。 |
| 申报人: |
王武生 |
| 申报单位: |
上海奇谋能源技术开发有限公司 |
| 申报时间: |
10/24/2008 |
| 专利有效期限: |
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专利内容
申请（专利）号:
CN200810201719.6
申请日期:
2008-10-24
公开(公告)日:
2010-6-9
公开(公告)号:
CN101723379A
主分类号:
C01B33/037(2006.01)I
分类号:
申请（专利权）人:
上海奇谋能源技术开发有限公司
发明（设计）人:
王武生
主申请人地址:
201600 上海市松江区松汇西路1558号A-208
专利代理机构:
""
代理人:
国别省市代码:
上海;31
主权项:
一种硅的物理提纯方法，包括工业硅，其特征是：所述方法是利用硅与其中杂质的熔点和沸点的不同以及在不同压力、不同温度下蒸气压的不同，通过对硅进行蒸馏，将硅与其中的杂质进行分离，从而降低产品中杂质的含量，提高工业硅的纯度，使工业硅的纯度达到太阳能电池或电子工业硅纯度要求的方法。
法律状态:
公开
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