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| 专利名: |
一种在颗粒内表面制备碳纳米管阵列的方法 |
| 专利号: |
CN200810119670.X |
| 关键字: |
工业气体分离 |
| 专利类别: |
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| 使用范围: |
一种在颗粒内表面制备碳纳米管阵列的方法，属于新型材料及其制备技术领域。该方法将活性金属组分负载于颗粒内表面上，还原或热分解后获得含有金属纳米颗粒的负载型颗粒内表面；然后进行化学气相沉积，在颗粒内表面之间生长出碳纳米管阵列。通过物理或者化学分离，将碳纳米管阵列与颗粒分离，获得高纯度碳纳米管阵列。其中，过程中控制反应速度及操作条件，维持反应器床层密度10-1000千克/立方米，碳纳米管/颗粒处于流动/流化状态。该方法操作简单易行，实现了碳纳米管阵列的大批量生产，推进了其工业化应用。 |
| 申报人: |
魏 飞,张 强,赵梦强 |
| 申报单位: |
清华大学 |
| 申报时间: |
9/5/2008 |
| 专利有效期限: |
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专利内容
申请（专利）号:
CN200810119670.X
申请日期:
2008-9-5
公开(公告)日:
2009-1-21
公开(公告)号:
CN101348249
主分类号:
C01B31/02(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B31
分类号:
C01B31/02(2006.01)I,C23C16/26(2006.01)I,C23C16/44(2006.01)I,C23C16/52(2006.01)I,C,C01,C23,C01B,C23C,C01B31,C23C16,C01B31/02,C23C16/26,C23C16/44,C23C16/52
申请（专利权）人:
清华大学
发明（设计）人:
魏 飞,张 强,赵梦强
主申请人地址:
100084北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室
专利代理机构:
""
代理人:
国别省市代码:
北京;11
主权项:
1、一种在颗粒内表面制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于该方法包括下列步骤：1)采用含曲率半径不小于500nm的内表面的颗粒作为催化剂的载体，将催化剂的活性组分负载到载体颗粒的内表面制成催化剂，然后放在催化剂活化反应器内；2)在还原温度为500-900℃下向催化剂活化反应器内通入氢气与载气的混合气体，对催化剂进行还原，还原空速为0.3-3小时-1，氢气与载气的体积比为1∶0～20；所述的载气采用氮气、氩气或它们的混合气体；3)将催化剂输送至碳纳米管阵列生长反应器中，在反应温度为500-900℃下，通入碳源气体、氢气和载气的混合气体，气速为0.005-2米/秒，氢气∶碳源气体∶载气的体积比为0-1∶1∶0.1-30，反应过程的空速为5-10000小时-1，气体的空塔流速为0.008-2米/秒，反应器内的床层密度保持在10-1000千克/立方米；4)将生长后获得的产物输送到产物提纯装置，获得高纯度的碳纳米管阵列。
法律状态:
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
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