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| 专利名: |
使用烧结温度低的含锡无机材料进行气密性密封 |
| 专利号: |
CN200810081549.2 |
| 关键字: |
制氧 |
| 专利类别: |
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| 使用范围: |
本文描述了一种抑制氧和湿气劣化器件(如OLED器件)的方法及由该方法制得的器件。为了抑制氧和湿气劣化器件，使用含Sn2+无机材料在该器件上形成防渗透层。该含Sn2+无机材料可以是例如SnO、混合的SnO和P2O5粉末，以及混合的SnO和BPO4粉末。 |
| 申报人: |
B·G·艾特肯,M·A·奎萨达 |
| 申报单位: |
康宁股份有限公司 |
| 申报时间: |
2/28/2008 |
| 专利有效期限: |
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专利内容
申请（专利）号:
CN200810081549.2
申请日期:
2008-2-28
公开(公告)日:
2008-9-3
公开(公告)号:
CN101256970
主分类号:
H01L21/56(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L21
分类号:
H01L21/56(2006.01)I,H01L23/29(2006.01)I,H01L51/00(2006.01)I,H01L51/54(2006.01)I,H01L51/46(2006.01)I,H01L51/30(2006.01)I,H01L51/56(2006.01)I,H01L51/48(2006.01)I,H01L51/40(2006.01)I,H01L27/32(2006.01)I,C09K3/10(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L21,H01L23,H01L51,H01L27,H01L21/56,H01L23/29,H01L51/00,H01L51/54,H01L51/46,H01L51/30,H01L51/56,H01L51/48,H01L51/40,H01L27/32
申请（专利权）人:
康宁股份有限公司
发明（设计）人:
B·G·艾特肯,M·A·奎萨达
主申请人地址:
美国纽约州
专利代理机构:
上海专利商标事务所有限公司
代理人:
沙永生
国别省市代码:
美国;US
主权项:
1.一种抑制氧和湿气渗透入器件的方法，该方法包括：将含Sn2+的无机材料沉积到所述器件的至少一部分上；和热处理沉积在所述器件的至少一部分上的所述含Sn2+无机材料。
法律状态:
实质审查的生效
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