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| 专利名: |
一种含卤素的高温超导体晶体及其制备方法 |
| 专利号: |
CN200810057518.3 |
| 关键字: |
制氧 |
| 专利类别: |
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| 使用范围: |
本发明涉及一种含卤素的高温超导晶体材料及其高压制备方法，该含卤素的高温超导晶体材料为Sr2CuO2+δCl2-y，该晶体顶角氧掺杂，其中0＜δ＜2，0＜y＜2，a轴晶格参数3.8-3.94，其载流子为p型载流子。本发明还提供了一种Sr2CuO2+δCl2-y晶体的高压合成方法，该方法采用顶角氧掺杂机制，利用SrO2作氧源，通过控制氧压和改变氯含量，用前驱体方法在高温高压下制备出了该p型高温超导晶体材料。该材料具有很好的二维特性，所以是研究CuO2平面电子结构的理想材料。 |
| 申报人: |
刘青清,李凤英,靳常青 |
| 申报单位: |
中国科学院物理研究所 |
| 申报时间: |
2/2/2008 |
| 专利有效期限: |
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专利内容
申请（专利）号:
CN200810057518.3
申请日期:
2008-2-2
公开(公告)日:
2008-11-19
公开(公告)号:
CN101307489
主分类号:
C30B29/10(2006.01)I,C,C30,C30B,C30B29
分类号:
C30B29/10(2006.01)I,C30B1/12(2006.01)I,C04B35/00(2006.01)I,C,C30,C04,C30B,C04B,C30B29,C30B1,C04B35,C30B29/10,C30B1/12,C04B35/00
申请（专利权）人:
中国科学院物理研究所
发明（设计）人:
刘青清,李凤英,靳常青
主申请人地址:
100080北京市海淀区中关村南三街8号
专利代理机构:
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人:
尹振启
国别省市代码:
北京;11
主权项:
1、一种Sr2CuO2+δCl2-y高温超导体晶体，该晶体顶角氧掺杂且具有异常大的a轴晶格参数，其中0＜δ＜2，0.4≤y≤1.2，a不小于 id="icf0001" file="A2008100575180002C1.tif" wi="11" he="4" top= "38" left = "140" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>
法律状态:
发明专利申请公布后的视为撤回
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