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| 专利名: |
一种转化四氯化硅制取三氯氢硅和多晶硅的方法 |
| 专利号: |
CN200810045015.4 |
| 关键字: |
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| 专利类别: |
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| 使用范围: |
针对目前工业生产多晶硅过程中产生污染环境的SiCl4，用热氢化法将其转化为生产多晶硅原料SiHCl3，存在一次转化率低、能耗高、设备投资大，及用SiCl4生产白炭黑经济效益远低于多晶硅的问题，本发明为企业提供一种转化四氯化硅制取SiHCl3和多晶硅方法，是以氢气或氢气与氩气混合气为等离子体工作气体，送入等离子体发生器，在强电场作用下通过电弧放电形成温度为4000K以上的热等离子体射流，诱导反应器中的SiCl4发生还原反应，将SiCl4转化为SiHCl3和多晶硅；突出优点是工艺成熟、能耗低，设备投资小，主产SiHCl3、联产多晶硅、副产HCl，有效消除四氯化硅环境污染，提高经济效益。 |
| 申报人: |
印永祥,任永平 |
| 申报单位: |
四川金谷多晶硅有限公司 |
| 申报时间: |
3/19/2008 |
| 专利有效期限: |
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专利内容
申请（专利）号:
CN200810045015.4
申请日期:
2008-3-19
公开(公告)日:
2008-9-3
公开(公告)号:
CN101254921
主分类号:
C01B33/107(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B33
分类号:
C01B33/107(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B33,C01B33/107
申请（专利权）人:
四川金谷多晶硅有限公司
发明（设计）人:
印永祥,任永平
主申请人地址:
610031四川省成都市青羊区青龙街27号钱江铂金时代3号楼12层802室
专利代理机构:
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人:
刘世权
国别省市代码:
四川;51
主权项:
1、本发明转化四氯化硅制取SiHCl3和多晶硅方法，是以氢气或氢气与氩气的混合气为等离子体工作气体，送入等离子体发生器，在强电场的作用下通过电弧放电，形成温度为4000K以上的热等离子体射流，诱导反应器中的SiCl4发生还原反应，将SiCl4转化为SiHCl3、多晶硅和HCl；包括如下步骤：第一步，将氢气或氢气与氩气的混合气作为工作气体，输入等离子体发生器，产生温度为4000K-15000K的等离子体射流，并将其引入反应器；第二步，将原料SiCl4喷入反应器，与热等离子体射流混合，使反应器中的混合气温度升至1200K-3500K，热等离子体射流中的氢与四氯化硅发生还原反应，生成SiHCl3、多晶硅和HCl；第三步，将反应器中的反应尾气，包括：完成还原反应的SiHCl3、多晶硅和HCl，尚未反应的SiCl4，工作气中的氢气与氩气的混合气，从反应器中引至气体缓冲容器，通过体积膨胀使反应尾气降温至1000K-1500K，反应尾气中的多晶硅沉积于气体缓冲容器的底部，并将其收集；第四步，将反应尾气与原料四氯化硅输送管路换热，使反应尾气的温度降至400K-600K；第五步，将降温后的尾气通过冷凝器，使所含SiHCl3和残余SiCl4气体在280K-300K温度下液化；第六步，将液化的SiHCl3和SiCl4的混合液送入分馏塔进行分馏，将分馏后的SiHCl3和SiCl4液体分别送入各自的贮罐中贮存。第七步，将未液化的氢气、氩气和HCl混合气体，由冷凝器的出气口输送至多晶硅生产厂的尾气处理系统，进行分离处理并分别贮存。
法律状态:
授权
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