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专利名:
碳化硅冶炼炉气的输送、净化和提纯一氧化碳的方法
专利号: CN200810044763.0
关键字: 变压吸附
专利类别:
使用范围: 本发明提供了一种碳化硅冶炼炉气的输送、净化和提纯一氧化碳的方法,其特点是碳化硅炉气从冶炼炉中引出后,通过干法或者湿法除尘后,将初步净化后的炉气压缩到0.1~1.5MPa,送入装有焦炭或活性炭或硅藻土和脱硫剂以及脱氯剂的化工填料塔中进行精脱,精脱后的气体经过至少一个变压吸附装置,输出一氧化碳,本发明的方法不仅能回收并纯化碳化硅冶炼炉气中的一氧化碳,而且可以有效的减少污染。
申报人: 管英富,杨 云,刘 丽,张剑锋,郜豫川
申报单位: 四川天一科技股份有限公司
申报时间: 6/23/2008
专利有效期限:

专利内容

申请(专利)号:
CN200810044763.0 
申请日期:
2008-6-23 
公开(公告)日:
2008-11-12 
公开(公告)号:
CN101302009 
主分类号:
C01B31/18(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B31 
分类号:
C01B31/18(2006.01)I,B01D53/02(2006.01)I,B01D53/047(2006.01)I,C,B,C01,B01,C01B,B01D,C01B31,B01D53,C01B31/18,B01D53/02,B01D53/047 
申请(专利权)人:
四川天一科技股份有限公司 
发明(设计)人:
管英富,杨 云,刘 丽,张剑锋,郜豫川 
主申请人地址:
610041四川省成都市高新区高朋大道5号 
专利代理机构:
成都九鼎天元知识产权代理有限公司 
代理人:
吴彦峰 
国别省市代码:
四川;51 
主权项:
1.一种碳化硅冶炼炉气的输送、净化和提纯一氧化碳的方法,该方法包括下列步骤:(1)将碳化硅炉气从冶炼炉中引出,经过干法除尘和/或湿法除尘装置,实现初脱;(2)将初脱后的炉气压缩到0.1~1.5MPa,送入装有焦炭或活性炭或硅藻土和脱硫剂以及脱氯剂的化工填料塔中进行精脱;(3)精脱后的气体经过至少一个变压吸附装置后输出一氧化碳。 
法律状态:
授权 

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