HIT电池表面钝化技术及ZnO透明导电膜的研究

作者：陈肖静
出处：
发布时间：2011/9/4

浏览次数：2139

【摘要】随着光伏产业的发展，硅材料的短缺问题凸显，开发低成本、高效率、高稳定性太阳电池成为主要的研究方向。非晶硅/单晶硅异质结电池由于具有工艺温度低、转换效率高和温度系数低等优点而备受关注。本文开展了HIT(Heterojunction withIntrinsic Thin Layer)电池的相关研究，着重研究电池表面钝化技术及ZnO透明导电膜。本论文的研究结果对提高非晶硅/单晶硅异质结电池性能具有一定的参考意义。<br>　　在HIT电池的制备过程中，a-Si:H薄膜的沉积是工艺技术的核心。本文研究了影响非晶硅薄膜沉积速率的因素，如沉积气压、射频功率、氢稀释度以及电极进气方式等。结果表明:随着沉积气

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