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硅氢薄膜RF磁控溅射法制备工艺及结构研究浏览次数:1815 【关键词】硅氢
薄膜沉积速率
射频磁控溅射法
制备工艺
薄膜太阳能电池
溅射功率
晶粒直径
氢气
转换效率
硅薄膜
分压
平均直径
衬底温度
太阳能电池材料
扫描电子显微镜
条件
结果
结构
溅射工艺参数
硅太阳能电池
【摘要】环境污染和能源危机是现代社会面临的严峻问题,开发利用可再生的清洁能源成为全人类急需解决的课题,太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的半导体器件。目前产业化的太阳能电池主要是硅系列太阳能电池,为降低成本和提高转换效率,硅太阳能电池走向薄膜化,而硅氢薄膜在硅薄膜太阳能电池材料中有着重要地位。 本文用射频磁控溅射法在中纯单晶硅基底上制备硅氢薄膜,应用激光喇曼(Raman)谱和(或)X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、干涉显微镜等仪器对薄膜进行表征,研究了不同溅射工艺参数对硅氢薄膜沉积速率与结构的影响,并在此基础上制备硅氢薄膜太阳能电池。 实验结果表明:硅薄膜沉积速率随射频溅射功率的提高而
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