射频反应磁控溅射制备氮化铜纳米薄膜及其场发射性能研究

作者：王涛
出处：
发布时间：2011/9/4

浏览次数：1676

【摘要】Cu3N薄膜是近几年来研究的热点材料之一，在室温下相当稳定并且热分解温度较低，分解后生成的铜膜与分解前的氮化铜膜在红外及可见光区的反射率差别非常大，有望成为光存储器件中光存储介质的备选材料，与现有的一次性光存储碲基无机相变材料相比，它还具有无毒、廉价的优点。此外，Cu3N薄膜还可用作在Si片上沉积金属Cu线的缓冲层、低磁阻隧道结的障碍层、自组装材料的模板等。到目前为止，Cu3N薄膜的物理及化学性质仍然不是很清楚，大多数研究工作仍处于制备层次上，不同的制备工艺对Cu3N薄膜性能的影响很大。国际上报道的有关Cu3N薄膜的物理及化学性质并不一致。而国内有关Cu3N薄膜的研究报道也很少，因此开展这方面

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