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SiC半导体表面处理技术研究浏览次数:1827 【关键词】半导体
氢等离子体处理
表面化学结构
欧姆接触
氧化能力
处理温度
湿法处理
器件
钝化技术
电容
低温等离子体处理
污染物
含量
氢钝化处理
界面态密度
表面覆盖率
退火
氢气
氢覆盖率
空气
【摘要】氢钝化技术是利用氢原子终结表面悬挂键的一种技术。半导体经氢钝化处理后可以获得干净、平整、抗氧化能力强的表面,有利于制备高性能的MOS结构和欧姆接触。由于SiC表面存在极性键,传统的湿法氢钝化技术并不适合SiC。常压氢气退火或RF等离子体处理方法中,为了使氢气有效热解,需要1000℃或650℃的高温。而且温度越高氢的表面覆盖率越低。 本论文利用ECR等离子体系统,探索了低温氢等离子体处理SiC的工艺条件;研究了低温氢等离子体处理对SiC表面化学结构和抗氧化能力的影响;研究了低温氢等离子体处理对MOS电容器件和欧姆接触的影响。实验结果表明,低温200℃处理12分钟后,SiC表面出现最佳处理效果。随
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