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等离子体CVD法制备a-Si<,1-x>C<,x>：H薄膜及其微结构和性能研究
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【摘要】氢化非晶硅碳材料(a-Si<,1-x>C<,x>:H)是一种宽带隙非晶半导体材料,其光学带隙可以通过组分调制的,人们可以根据不同的应用目的制备出不同光学带隙的a-Si<,1-x>C<,x>:H材料.然而,氢化非晶硅碳a-Si<,1-x>C<,x>:H薄膜在太阳能电池、发光二极管等的应用中往往会由于薄膜结构的无序度而导致性能不稳定,引起发光效率的下降和引起太阳能电池的内建电势降低和串联电阻增加从而使太阳能电池的转换效率降低.在硅基发光材料的应用中,一般在衬底温度600℃以上的较高温度下制备的纳米硅碳薄膜才观察到镶嵌在无序网络中SiC和Si纳米颗粒因量子尺寸效应而引发了光致发光现象和在800~C沉
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