衬底温度和氢气退火对ZnO:Al薄膜性能的影响

作者：张惠沈鸿烈尹玉刚李斌斌 Zhang Hui Shen Honglie Yin Yugang L
出处：
发布时间：2011/9/4

浏览次数：1732

【关键词】衬底温度氢气退火ZnO薄膜性能substrate temperaturemicrostructures and propertiesstructure and propertiesRF magnetron sputteringcarrier concentration射频磁控溅射法film growth载流子浓度薄膜电阻率玻璃衬底上influence择优取向透明导电可见光区禁带宽度

【摘要】采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了性能良好的透明导电ZnO:Al薄膜,并研究了衬底温度和氢气退火对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,衬底加热可以改善薄膜结晶质量和c轴择优取向,减小内应力,并提高其电学性能.经稀释氢气退火后,500℃沉积的薄膜电阻率由9.4×10~(-4)Ω·cm减小到5.1×10~(-4)Ω·cm,迁移率由16.4cm2·V~(-1)·s~(-1)增大到23·3 cm2·V~(-1)·s~(-1),载流子浓度由4.1×1020cm~(-3)提高到5.2×1020cm~(-3),薄膜的可见光区平均透射率仍达85%以上.禁带宽度随着衬底温度的升高和氢气退火而展宽.

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