两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质

作者：李世鸿叶忠信张永平汪岛军黄柏仁 Lee Shih-Fong Yeh Chun-Shin Ch
出处：
发布时间：2011/9/4

浏览次数：2147

【关键词】微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石薄膜薄膜品质chemical vapor depositionmicrowave plasmaqualitythe growthdiamond filmsstagenucleation mechanism反应气体成长阶段addition化学气相沉积法压力偏压low pressureconventional

【摘要】以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响.研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在P型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜.典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段.研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长Ⅰ阶段),第二阶段压力较高(成长Ⅱ阶段).结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金

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