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微波等离子体化学气相沉积合成掺氮金刚石薄膜的缺陷和结构特征及其生长行为
作者:刘燕燕 E.Bauer-Grosse 张庆瑜 Liu Yan-Yan E.Bauer-Grosse 浏览次数:1998 【关键词】微波等离子体化学气相沉积合成掺氮金刚石薄膜缺陷结构特征生长行为chemical
vapor
depositionmicrowave
plasmadiamond
film成核密度透射电子显微镜扫描电子显微镜形貌和结构立方金刚石金刚石结构中心位置择优取向生长速率
【摘要】采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,在甲烷和氢气的混合气体中,通过掺入微量氮气的方法,合成了掺氮金刚石薄膜.利用扫描电子显微镜、拉曼光谱和透射电子显微镜对薄膜的形貌和结构进行了表征.研究结果表明:处于基片中心位置的薄膜具有比较高的成核密度,成核密度高达4.8×108 cm-2,并且具有〈001〉的择优取向,晶粒呈立方金刚石特征,但沿{111}晶面生长时存在大量层错.处于基片边缘的薄膜成核密度较低,晶粒为6H型多型金刚石结构,而且多型金刚石的出现,导致金刚石孪晶关系的变化.此外,根据薄膜的生长速率,探讨了MPCVD过程中掺氮对薄膜生长行为的影响.
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