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金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征
作者:黎大兵 董逊 刘祥林 王晓晖 王占国 浏览次数:2226 【关键词】低压金属有机物气相外延生长薄膜性能表征growth
temperaturecarrier
gases结构和光学性能生长温度dispersive
spectroscopyoptical
properties
of载气发光峰chemical
composition混合气样品深能级氮气buffer
layervapor
phase能量色散谱
【摘要】在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度
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