常压化学气相沉积技术生长ZnO:H薄膜的光学性质

作者：李璠王立戴江南蒲勇方文卿江风益 Li Fan Wang Li Dai Jiangnan P
出处：
发布时间：2011/9/4

浏览次数：2055

【关键词】常压化学气相沉积技术生长薄膜的光学性质Chemical Vapor Deposition光致发光谱结晶性能退火温度气相沉积技术紫外光发射金属有机物中性施主双晶衍射热稳定性去离子水强度变化观测反应气氛二乙基锌半峰全宽

【摘要】采用常压金属有机物化学气相沉积技术(AP-MOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H2O)为氧源,N2作载气,在外延ZnO薄膜的反应气氛中通入少量氢气,在c-Al2O3衬底上生长出了ZnO:H薄膜.用X射线双晶衍射和光致发光谱对ZnO:H薄膜的结晶性能和光学性质进行表征.结果表明,ZnO:H薄膜(002)和(102)面的Ω扫描半峰全宽分别为46.1 mrad和81.4 mrad,表明该薄膜具有良好的结晶性能;室温下,ZnO:H薄膜具有较强的紫外光发射(380 nm),在低温10 K光致发光谱中观测到位于3.3630 eV处与氢相关的中性施主束缚激子峰(I4)及其位于3.331

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