不同晶态比条件下氢化纳米硅薄膜光学性质的研究

作者：郭立强丁建宁杨继昌程广贵凌智勇董玉忠 GUO Li-qiang DING Jian-nin
出处：
发布时间：2011/9/4

浏览次数：1990

【关键词】晶态比条件氢化纳米硅薄膜薄膜光学性质differentsilicon films直流负偏压消光系数光吸收系数化学气相沉积系统有效载流子浓度悬挂键微结构特征玻璃衬底上射频功率等离子体衬底温度沉积速率薄膜样品波长

【摘要】利用等离子体化学气相沉积系统,在射频源和直流负偏压源的双重激励下,保持射频功率、反应室气压、衬底温度、硅烷与氢气混合比以及总流量不变,改变直流负偏压从50～250V,在康宁7059玻璃衬底上制备了本征氢化纳米硅薄膜.利用拉曼散射仪表征了不同直流负偏压条件下薄膜微结构特征;利用Shmadzu UV-2450型光谱仪测试了薄膜样品透射图谱.研究发现提高直流负偏压将导致晶态比、沉积速率发生变化.薄膜的光吸收系数和消光系数随波长增加呈下降趋势;不同晶态比薄膜的悬挂键和有效载流子浓度、致密程度、键畸变程度和悬挂键数目的差异,致使晶态比增加,薄膜的吸收系数、消光系数在波长为400nm附近依次增加,光学带隙

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