沉积工艺参数对碳纳米管薄膜场发射性能的影响

作者：樊志琴闫书霞姚宁鲁占灵杨仕娥马丙现张兵临 FAN Zhi-qin YAN Shu-xia
出处：
发布时间：2011/9/4

浏览次数：2128

【关键词】工艺参数碳纳米管膜薄膜发射性能Carbon NanotubesEmission Properties等离子体化学气相沉积场发射制备温度直接沉积流量拉曼光谱开启场强甲烷浓度反应室发射点不锈钢压力微波氢气

【摘要】利用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜.通过SEM、拉曼光谱和XRD表征,讨论了制备温度和甲烷浓度对碳纳米管膜场发射的影响.结果表明:不同条件下制备的碳纳米管膜的场发射性能有很大差异,保持氢气的流量(100 sccm)、生长时间(10 min)、反应室压力不变,当甲烷流量为8 sccm、温度为700～800 ℃时,场发射性能最好,开启场强仅为0.8 V/μm,发射点分布密集、均匀.

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