会员注册 | 二级域名申请 | 我能做什么? | 网站说明书 | 协议书下载 | 广告预定 | 企业邮局 | 标准库 | 关于我们 |
|
您当前的位置: 气体分离设备商务网 → 行业论文 → 制氢技术
射频输入功率对类金刚石薄膜性能的影响
作者:齐海成 冯克成 杨思泽 QI Hai-Cheng FENG Ke-cheng YANG Si-ze 浏览次数:2233 【关键词】射频等离子体输入功率类金刚石薄膜薄膜性能rf-PECVDCarbon
Film增强化学气相淀积弹性模量制备参数原子力显微镜纳米压痕仪光电子能谱Raman光谱硬度微观结构入射功率结构特征反应气体对应关系表面形貌
【摘要】为了得到类金刚石薄膜的性质和制备参数之间的对应关系,利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的(100)面上制备了类金刚石薄膜,反应气体是甲烷和氢气的混合气.研究了射频源的输入功率对类金刚石薄膜性能的影响.采用Raman光谱、X射线光电子能谱、原子力显微镜和纳米压痕仪对薄膜的微观结构、表面形貌、硬度和弹性模量进行了研究,结果表明:制备的薄膜具有典型的不定型碳的结构特征、薄膜致密均匀,随着入射功率的提高,薄膜的sp3含量、硬度以及弹性模量先增加后减小,并且在100W时达到最大值,在400W时薄膜出现碳化.
注意:本栏目部分文章来源于网络,如果其中涉及了您的版权,请及时联系我们,我们在核实后将在第一时间予以删除! 为减少服务器的外部调用流量负载,本网所有的pdf,rar,caj,zip格式的文件,均使用防盗链技术保护文件。 如何下载保存此附件? 请直接点击下载连接进入文件下载页面. |
广告 |
|
Copyright©2001版权所有_杭州汉皇网络科技有限公司 联系我们:webmaster@cngspw.com 浙ICP备10209442号-1 ICP经营许可证 浙B2-20100450 |
服务热线:0571-85065806 传真:0571-85065896 地址:杭州下城区高新技术产业基地电子商务园区费家塘路588号4号楼402-403室 |
主办单位:杭州汉皇网络科技有限公司 本网站法律顾问:汪卓君律师(浙江杭天信律师事务所) |
cngspw.com(hangzhou_china),Ltd;Allrights Reserved 版权声明 |
execute:230.469