收藏此帖| 会员注册 | 二级域名申请 | 我能做什么? | 网站说明书 | 协议书下载 | 广告预定 | 企业邮局 | 标准库 | 关于我们 |
|
| 技术交流首页 | 登录 | 用户注册 | 今日新帖 | 搜索 | 我的收藏夹 | 插件： 万年历 | 杭州公交线路查询 |
| 您当前的位置: 气体分离设备商务网 → 技术交流 --> 气体制备技术 --> 帖子:“参杂混和气” |
| 收藏此帖 |
| 帖子主题：参杂混和气 |
|
|||
参杂混和气
在半导体器件和集成电路制造中，将某些杂质入半导体材料内，使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、PN结、埋层等。 掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体。 主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合，混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周，在晶片表面沉积上掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。 |
|
|
| Copyright©2001版权所有_杭州汉皇网络科技有限公司 联系我们:webmaster@cngspw.com 浙ICP备10209442号-1 ICP经营许可证 浙B2-20100450 |
| 服务热线:0571－85065806 传真:0571－85065896 地址:杭州下城区高新技术产业基地电子商务园区费家塘路588号4号楼402-403室 |
| 主办单位：杭州汉皇网络科技有限公司 本网站法律顾问:汪卓君律师(浙江杭天信律师事务所) |
| cngspw.com(hangzhou_china),Ltd;Allrights Reserved 版权声明 |
execute:1,605.469
